传三星与SK海力士测试中国晶片制造设备 规避美国出口管制风险
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黄仁勋一刀下去，砍碎了全球内存股，唯独长鑫幸免于难 admin 发布于：2026-08-06 14:46:51 栏目：科技 -
路透社引述知情者称，三星电子和SK海力士正在评估中国中微公司的晶片制造设备，以考虑是否用于在华的工厂。图为三星电子的品牌标识。
韩国存储晶片巨头三星电子和SK海力士据报正在测试和评估中国中微公司的晶片制造设备，考虑用于公司在中国的工厂，以规避美国加强出口管制带来的风险。
路透社星期三(8月5日)引述两名消息人士称，约两年前，三星电子和SK海力士就开始测试中微公司的刻蚀设备;彼时美国能否持续对中国出口晶片制造设备充满变数。
消息人士称，包括长江存储在内的中国领先晶片制造商，已经采用中微公司的设备，这让三星和SK海力士更加确信，中微的部分系统已足够成熟，可进行测试。
报道称，尽管三星和SK海力士尚未作出更大规模部署的决定，但上述测试已让总部位于上海的中微公司，获得全球顶尖晶片制造商的认可。
从更广泛的层面来看，这些测试凸显美国技术管制的核心悖论：旨在遏制北京半导体发展雄心的措施，反而为中国竞争对手创造了机会，使它们得以在中国境内运营的外资晶圆厂中站稳脚跟。
不过，三星在声明中称，公司并未测试将中微公司的设备用于中国工厂，也未曾考虑这样做。SK海力士也称，尚未对中微设备在中国市场的适用性进行测试。
美国商务部2023年将三星和SK海力士的中国工厂指定为“经验证最终用户”(validated end users，简称VEU)，允许它们无需单独申请许可证，即可进口某些受管制的美国设备，但华盛顿在2025年撤销了VEU授权。
美国随后向上述两家晶片制造商颁发2026年度许可证，允许它们将晶片制造设备引入公司位于中国的工厂。
消息人士称，即便如此，两家公司仍担心，华盛顿未来的限制措施可能不仅限于新设备，而是会延伸到其中国工厂已安装西方设备的维修、保养或更换。它们因此将中国供应商作为后备方案，用于维护和升级现有生产线，而不是扩大在中国的生产能力。
三星在西安设有快闪记忆体(NAND)闪存晶片工厂，SK海力士则在大连设有NAND工厂，在无锡设有DRAM内存晶片工厂，它们的中国工厂严重依赖美国公司提供的刻蚀设备。
虽然中国设备制造商在先进光刻和一些检测系统方面仍落后于海外竞争对手，但他们在刻蚀、沉积、清洗和平面化等领域已经缩小差距，而且成本一般低得多。
受上述消息提振，中国晶片制造类股星期三大幅上涨。中微公司A股股价飙升近13%，追踪中国半导体材料和设备股票的指数上涨10%，创两周以来最佳单日表现。
不过，中国供应商要取得突破，仍面临许多障碍，包括漫长的认证流程、较小的服务网络、知识产权问题，以及来自华盛顿的潜在政治压力等。此外，由于安全和知识产权的风险，韩国晶片制造商会否在国内工厂安装中国设备也不明朗。
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